磊晶成長
最適合於高旋轉的MOCVD設備
照明用的新光源LED，是把電力能源轉換成光源的半導體。具有壽命長，節能，耐久性高，高亮度等特徵。在大型屏幕顯示器，液晶背光源，汽車車燈，照明等廣泛的領域得到應用。目前在急速的普及和發展。
製造LED，是在藍晶基板上將GaAs，GaP，GaN等薄膜生成的外延片不可缺少的。
GaAs、GaP、GaN主要是以MOCVD鍍膜為主。
高旋轉，高真空，氯化物，有機金屬等活性氣體（惰性）環境對應的磁流體密封，是各種方式的生成延長設備的最佳選擇。
高旋轉，高真空，氯化物，有機金屬等活性氣體（惰性）環境對應的磁流體密封，是各種方式的生成延長設備的最佳選擇。
延長生成的詳細內容，請看這裡。
最適合延長生成設備的磁流體密封
什麼是外延生成
這是在單晶基板上把均勻的單晶晶體取向薄膜外延生成的方法。
作為一個典型的氣相外延法，主要有金屬有機化學氣相沉積法（MOCVD），分子束外延法（MBE），氫化物汽相外延法(HVPE)。
金屬有機化學氣相沉積法（MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）
從有機金屬化合物蒸氣中把結晶生成的方法。 （也被稱為MOVPE）
構成LED的金屬上加入甲基（- CH3的）時，在常溫下可以生成有高蒸氣壓的液體或固體的有機金屬材料。把這種有機金屬材料蒸汽和氫化物氣體在加熱的基板上噴塗，經過熱分解後把結晶半導體生成薄膜。
分子束外延法（MBE：Molecular Beam Epitaxy）
物質在超高真空中經過加熱使其蒸發，把蒸發分子的飛散方向集中在一起（分子束）照射到加熱的基板上，生成結晶的方法。
氫化物汽相外延法（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）
在高溫氣態氯化物氣體中生成晶體的方法。構成LED的金屬材料的氯化物氣體和非金屬材料的氫化物氣體在基板上發生反應，生成半導體晶體薄膜。